bit:比特，内存中最小单位，也叫"位"。它只有两个状态分别以0和1表示。
byte:字节，8个连续的比特叫做一个字节。
ns（nanosecond）：纳秒，是一秒的10亿分之一。内存读写速度的单位，其前面数字越小表示速度越快。
SIMM（Single In-line Memory Modules）:单边接触内存模组。是5X86及其较早的PC中常采用的内存接口方式。在486以前，多采用30针的SIMM接口，而在Pentuim中更多的是72针的SIMM接口，或者与DIMM接口类型并存。人们通常把
72线的SIMM类型内存模组直接称为72线内存。
DIMM（Dual In-line Memory Modules）:双边接触内存模组。也就是说这种类型接口内存的插板两边都有数据接口触片，这种接口模式的内存广泛应用于现在的计算机中，通常为84针，由于是双边的，所以共有84×2=168线接触，所以人们常把这种内存称为168线内存。
DRAM（Dynamic RAM）:动态随机存储器。需要用恒电流以保存信息，一断电，信息即丢失。其接口多为72线的SIMM类型。虽然它的刷新频率每秒钟可达几百次，但是由于它采用同一电路来存取数据，所以存取时间有一定的间隔，导致了它的存取速度不是很快。在386、486时期被普遍应用。
FPM DRAM（Fast Page Mode RAM）:快速页面模式内存。是一种在486时期被普遍应用的内存。72线、5V电压、带宽32bit、基本速度60ns以上。它的读取周期是从DRAM阵列中某一行的触发开始，然后移至内存地址所指位置，即包含所需要的数据。第一条信息必须被证实有效后存至系统，才能为下一个周期作好准备。这样就引入了"等待状态"，因为CPU必须傻傻的等待内存完成一个周期。随着性能/价格比更高的EDO
DRAM的出现和应用，它只好准备渐渐退出市场。
EDO DRAM（Extended Data Output RAM）:扩展数据输出内存。是Micron公司的专利技术。有72线和168线之分、5V电压、带宽32bit、基本速度40ns以上。传统的DRAM和FPM
DRAM在存取每一bit数据时必须输出行地址和列地址并使其稳定一段时间后，然后才能读写有效的数据，而下一个bit的地址必须等待这次读写操作完成才能输出。EDO
DRAM不必等待资料的读写操作是否完成，只要规定的有效时间一到就可以准备输出下一个地址，由此缩短了存取时间，效率比FPM
DRAM高20%-30%。具有较高的性/价比，因为它的存取速度比FPM DRAM快15%，而价格才高出5%。因此，成为中、低档Pentium级别主板的标准内存。
SDRAM（Synchronous Burst RAM）:同步突发内存。是168线、3.3V电压、带宽64bit、速度可达6ns。是双存储体结构，也就是有两个储存阵列，一个被CPU读取数据的时候，另一个已经做好被读取数据的准备，两者相互自动切换，使得存取效率成倍提高。并且将RAM与CPU以相同时钟频率控制，使RAM与CPU外频同步，取消等待时间，所以其传输速率比EDO
DRAM快了13%。SDRAM采用了多体（Bank）存储器结构和突发模式，能传输一整数据而不是一段数据。
SDRAM II:二倍数据速度,也叫DDR（Double
Data Rate）RAM。它的速度比SDRAM提高一倍，其核心建立在SDRAM的基础上，但在速度和容量上有了提高。对比SDRAM，它使用了更多、更先进的同步电路。而且采用了DLL（Delay
Locked
Loop：延时锁定回路）提供一个数据滤波信号（DataStrobe
signal）。当数据有效时，存储控制器可使用这个数据滤波信号来精确定位数据，每16次输出一次。DDR本质上不需要提高时钟频率就能加倍提高SDRAM的速度，它允许在时钟脉冲的上升沿和下降沿读出数据，因此，它的速度是标准SDRAM的两倍。 |
